学会発表ー2012年度ー

  • 部分的アモルファス化によるn+ 4H-SiC上の Niシリサイド・オーミック抵抗低減の研究

    発表者：Milantha De Silva
    著者：Milantha De Silva, 佐藤 旦, 黒木 伸一郎
    研究グループ：黒木研究室
    発表日時：2013年3月29日

  • A Ring-VCO-Based Sub-Sampling PLL CMOS Circuit with 0.73 ps Jitter and 20.4 mW Power Consumption

    発表者：十河 健太(Kenta Sogo)
    著者：十河 健太、外谷 昭洋、吉川 公麿(Kenta Sogo, Akihiro Toya and Takamaro Kikkawa
    研究グループ：吉川研究室
    発表日時：2013年1月23日

  • 大腸NBI拡大内視鏡画像診断支援システムにおける特徴量抽出のハードウェア化に関する考察

    発表者：三島 翼
    著者：三島 翼，重見 悟，小出 哲士，玉木 徹，Bisser Raytchev，金田 和文，小南 陽子，宮木 理恵，松尾 泰治，吉田 成人，田中 信治
    研究グループ：小出研究室
    発表日時：2012年12月6日

  • 大腸NBI拡大内視鏡画像診断支援システムにおけるタイプ識別器のハードウェア化に関する考察

    発表者：重見　悟
    著者：重見 悟，三島 翼，小出 哲士，玉木 徹，Bisser Raytchev，金田 和文，小南 陽子，宮木 理恵，松尾 泰治，吉田 成人，田中 信治
    研究グループ：小出研究室
    発表日時：2012年12月6日

  • Hybrid electro-optic polymer waveguide modulators and sol-gel silica waveguide biosensors doped with green fluorescent protein(invited)

    Yasufumi Enami

  • Hybrid electro-optic polymer waveguide modulators for ultra-low power communications and interconnections(invited)

    Yasufumi Enami

  • 大腸NBI 拡大内視鏡画像診断支援システム ～ 特徴量抽出部のハードウェア化に対する考察 ～

    発表者：三島 翼
    著者：三島 翼, 重見 悟, 小出 哲士 (広島大学 ナノデバイス・バイオ融合科学研究所), 玉木 徹, Bisser Raytchev, 金田 和文 (広島大学 工学研究科), 小南 陽子, 宮木 理恵 (広島大学 消化器・代謝内科), 松尾 泰治, 吉田 成人, 田中 信治 (広島大学 内視鏡診療科)
    研究グループ：小出研究室

  • 大腸NBI拡大内視鏡画像診断支援システム ～ タイプ識別部のハードウェア化に対する考察 ～

    発表者：重見　悟
    著者：重見 悟, 三島 翼, 小出 哲士 (広島大学 ナノデバイス・バイオ融合科学研究所), 玉木 徹, Raytchev Bisser, 金田 和文 (広島大学 工学研究科), 小南 陽子, 宮木 理恵 (広島大学 消化器・代謝内科), 松尾 泰治, 吉田 成人, 田中 信治 (広島大学 内視鏡診療科)
    研究グループ：小出研究室

  • 大腸NBI拡大内視鏡画像診断支援システムにおける特徴量抽出部のハードウェア設計

    発表者：三島 翼
    著者：三島 翼，重見 悟，小出 哲士，玉木 徹，Bisser Raytchev，金田 和文，小南 陽子，宮木 理恵，松尾 泰治，吉田 成人，田中 信治
    研究グループ：小出研究室

  • 大腸NBI拡大内視鏡画像診断支援システムにおけるタイプ識別部のハードウェア設計

    発表者：重見　悟
    著者：重見 悟，三島 翼，小出 哲士，玉木 徹，Bisser Raytchev，金田 和文，小南 陽子，宮木 理恵，松尾 泰治，吉田 成人，田中 信治
    研究グループ：小出研究室

  • Application of Composite Haar-like Features to Vehicle Detection with Massive-Parallel Memory-Embedded SIMD Matrix Processor

    M. Omori, H. Hiramoto, T. Koide and H. J. Mattausch
    Hiroshima Univ. , Japan

  • 102.4 GS/s Impulse Sampling Circuit with Low Power and Low Timing Error Clock Generation

    A. Toya1,2, K. Sogo1, N. Sasaki1,3 and T. Kikkawa1
    1Hiroshima Univ., 2Kure National College of Tech. and 3Gunma National College of Tech. , Japan

  • Differential Si Ring Optical Resonator Biosensors

    T. Taniguchi1, Y. Amemiya1, T. Ikeda1,3, A. Kuroda1,3 and S. Yokoyama1,2
    1Res. Inst. for Nanodevice and Bio Systems, Hiroshima Univ, 2Dept of Semiconductor Electronics and Integration and 3Dept of Molecular BioTech. AdSM Hiroshima Univ , Japan

  • -119.1 dBc/Hz Phase Noise Ring-VCO-Based PLL CMOS Circuit Using A Tunable Narrow-Deadzone Creator in Frequency Locked Loop

    K. Sogo1, A. Toya1,2 and T. Kikkawa1
    1Hiroshima Univ. and 2Kure National Collage of Tech. , Japan

  • Layered Low-k Porous Silica Zeolite Films for Inter-Metal Dielectric with High Elastic Modulus

    T. Yamamoto1, T. Sato1, Y. Seino2, K. Hattori2, S. Kuroki1 and T. Kikkawa1
    1Hiroshima Univ and 2AIST , Japan

  • Influence of Breast Organisms and UWB Antenna Array Configuration on the Resolution of Breast Cancer Detection

    T. Sugitani1, S. Kubota1, A. Toya1, X. Xiao2 and T. Kikkawa1
    1Hiroshima Univ. , Japan and 2Tianjin Univ. , China

  • High Sensitive Biosensors with Slot and Stack-Type Structure using Silicon Nitride Waveguides

    Y. Amemiya, A. Hirowatari, T. Taniguchi, T. Ikeda, M. Fukuyama, A. Kuroda and S. Yokoyama
    Hiroshima Univ. , Japan

  • Modeling of the Impurity-Gradient Effect in High-Voltage Laterally-Diffused MOSFETs

    T. Iizuka, K. Fukushima, A. Tanaka, T. Sakuda, H. Kikuchihara, M. Miyake, H. J. Mattausch and M. Miura Mattausch
    Hiroshima Univ. , Japan

  • As+イオン注入した4H-SiC基板の化学結合状態評価

    ○村上秀樹1，大田晃生1，芦原龍平1，雨宮嘉照2，田部井哲夫2，横山　新2，吉川公麿2，宮崎誠一3，東清一郎1
    広大院先端研1，広大ナノデバイス2，名大院工3

  • スタック型マルチスロットバイオセンサの研究

    ○雨宮嘉照1，谷口智哉1，坂元崇宣1，池田　丈2,1，福山正隆1，黒田章夫2,1，横山　新1,2
    広島大ナノデバイス1，広島大先端研2

  • フォトニック結晶を用いたバイオセンサ

    ○坂元崇宣1，原田祥典1，雨宮嘉照1，池田　丈2,1，黒田章夫2,1，横山　新1,2
    広島大ナノデバイス・バイオ研1，広島大先端物質科学研究科2

  • フォトニック結晶作製における電子ビーム露光条件依存性

    ○（M1）原田祥典，雨宮嘉照，横山　新
    広島大ナノデバイス

  • 縦列p/n 接合型Si マッハツェンダ光モジュレータの改良

    ○古谷竜一，雨宮嘉照，福山正隆，横山　新
    広島大ナノデバイス・バイオ研

  • 表面プラズモン共鳴をベースとしたシリコン光変調器の試作

    ○田部井哲夫，横山　新
    広島大ナノデバイス研

  • 細胞分離のための磁性粒子含有流路作製

    ○坂本憲児1，杉本うらら2，柳瀬雄輝3，秀　道弘3，三宅　亮2
    九工大1，広島大2，広島大医歯薬学3

  • 差動Siリング光共振器を用いたバイオセンサー

    ○谷口智哉1,2，雨宮嘉照1，池田　丈1,3，黒田章夫1,3，横山　新1,2
    広島大ナノデバイス・バイオ融合科学研1，広島大院先端物質科学研半導体集積科2，広島大分子生命機能科3

  • Hybrid electro-optic polymer modulators and biophotonic sensors based on sol-gel silica waveguides

    Yasufumi Enami, Jingdong Luo, and Alex K-Y. Jen

  • A Ring-VCO-Based Sub-Sampling PLL CMOS Circuit with -119 dBc/Hz Phase Noise and 0.73 ps Jitter

    発表者：十河 健太(Kenta Sogo)
    著者：十河 健太、外谷 昭洋、吉川 公麿(Kenta Sogo, Akihiro Toya and Takamaro Kikkawa
    研究グループ：吉川研究室
    発表日時：2012年9月19日
    感想：国際学会の雰囲気を肌で感じることができた。また、世界中の研究者の研究を勉強できることや、自分の発表に対する質問で自分の研究がまた進んでいくこと、学会に参加する重要性を知った。
    これから学会発表を目指す同級生、後輩に一言：
    発表前は誰でも緊張してしまいます。しかし、学会に参加することで得るものは非常に大きいと思います。是非挑戦してみてください！

  • Digital Associative Memory for Word-Parallel Manhattan-Distance-Based Vector Quantization

    発表者：佐々木 静龍
    発表日時：2012年9月18日
    著者：佐々木 静龍、安田 雅弘、マタウシュ・ハンス・ユルゲン （Seiryu Sasaki, Masahiro Yasuda, and Hans Jürgen Mattausch）
    研究グループ：集積システム科学研究部門

  • ハイブリッド型ゾルゲルシリカ・電気光学ポリマ変調器(Invited)

    榎波康文（広島大）・Jingdon Luo・Alex Jen（Univ. of Washington）

  • Hybrid Electro-optic Polymer/Silica Waveguide Modulators and Biophotonic Sensor Network Based on Sol-gel Silica Waveguides(Invited)

    Yasufumi Enami

  • 低位相雑音・低ジッタ位相同期ループの開発

    発表者：十河 健太
    研究グループ：吉川研究室
    発表内容概要：アナログ-ディジタル変換器をベースにしたシステムには高精度な(低ジッタ)クロックを生成する発振回路、PLLが必要不可欠である。ジッタの要因となる位相雑音を低減するために、サブサンプリングPLL回路を導入した。独自に開発したデッドゾーン生成回路により、リングVCOベースでこれを実現した。従来型PLLにおいて帯域内位相雑音の大きな要因となる分周器が、位相・周波数同期後に負帰還パスに不要であるため、低位相雑音(低ジ ッタ)・低消費電力が実現可能である。今回の発表では回路の構成図、動作原理などを説明し、測定による位相雑音の低減を確認し、PLL性能を議論した。ジッタと消費電力から求めるフィギュアオブメリットにおける有用性を述べた。
    感想：はじめての大学外での発表で緊張したが、気負わずやることができた。
    今後の抱負：VDECデザインアワード受賞者として責任をもって今後も研究に注力していこうと感じている。
    お世話になった先生方、先輩方、同級生に一言：日頃よりご指導、ご鞭撻をいただき、心より感謝申し上げます。
    受賞：IEEE SSCS Japan Chapter VDEC Design Award（最優秀賞）
    その他：今回の受賞がVDECだより2012年10月15日第14号3ページ目に掲載されました

  • 低消費電力なディジタル並列型最小マンハッタン距離検索連想メモリ

    発表者：佐々木 静龍
    研究グループ：集積システム研究室
    受賞：VDEC デザインアワード 奨励賞

  • ハイブリッド型ポリマ光変調器(Invited)

    榎波康文, J. Luo, Alex K-Y. Jen,

  • Compact Planar UWB Antenna Array for Breast Cancer Detection

    発表者：杉谷 拓海(Takumi Sugitani)
    著者：杉谷 拓海(Takumi Sugitani)、久保田　慎一(Shinichi Kubota)、外谷　昭洋(Akihiro Toya)、吉川　公麿(Takamaro Kikkawa)
    研究グループ：吉川研究室

  • Electro-optic polymer/TiO2 multilayer slot waveguides for ultra-low voltage operation(Invited)

    Y. Enami, C. Zhang, J. Luo, and A. K-Y. Jen,

  • High Speed Data Acquisition System for Microfluidic HILS

    発表者:Yusuke Maekawa
    著者:Yusuke Maekawa, Ryo Miyake
    発表日時:2012年6月12日
    感想: 生まれて初めて海外に出たので不安でいっぱいでしたが、いろんな方々に助けて 頂き、何とか無事に帰ってくることができました。

  • [招待講演]「ダブルラインビーム連続発振レーザラテラル結晶化によるシリコン薄膜の3軸結晶制御とTFT」

    発表者：黒木伸一郎
    研究グループ：ナノ集積科学研究部門
    発表日時：2012年4月27日（金）15:40－16:10
    論文アブストラクト：Gaussianレーザスポットをもつ連続発振レーザラテラル結晶化により平均20×2μm2の粒径をもつpoly-Si薄膜を形成し、これを用いた高性能薄膜トランジスタ（TFT）を作製した。さらにトランジスタへの歪み印加の効果を調べるために、Double-gate型TFTを作製し、上下チャネルでの移動度を調べることにより、引っ張り歪み印加による電子移動度向上を示した。またTri-gate型のTFTにより、一軸性ひずみによる移動度向上を示した。更にTri-gate型により移動度ばらつきの低減を示した。ダブルラインビーム連続発振レーザ結晶化により、poly-Si結晶薄膜の面方位制御を行い、100 μｍを超える長さの、(110)-(111)-(211)面方位に3軸制御したシリコン結晶グレインを形成した。このpoly-Si薄膜を用いたTFT作製し、その特性を調べた。
    Poly-Si thin films with large crystal grains of 20×2μm2 were fabricated by continuous-wave laser lateral crystallization with Gaussian laser spot, and its high-performance TFT was also fabricated. Strain effects on the electron mobility were investigated with double-gate TFTs and tri-gate TFTs. Highly bi-axially oriented poly-Si thin films with very long grains were successfully fabricated on quartz substrates by double-line beam continuous wave laser crystallization. The newly-developed technique achieved highly-oriented silicon grains having {110}, {111} and {211} crystal orientations in the laser lateral crystallized plane, the transverse side plane and the surface plane, respectively. All the silicon grains were elongated in the laser-scanning direction and linearly arranged with a length of over 100 µm and a width of 0.7 µm. TFTs with this well-crystal oriented poly-Si thin films were also fabricated.

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